电气特性¶

运行条件¶

最大极限值¶

表 3 电气参数最大极限值¶
符号	描述	最小值	最大值	单位
Tstg	储存温度	-20	125	°C
VCC33_IO	GPIO电源	-0.3	3.6	V
VDD11_SYS	内核及系统电源	-0.3	1.32	V
Iio	IO输入输出电流	-55	60	mA

建议运行条件¶

表 4 电气参数建议值¶
符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
Tj	结温	-20		105	°C
Ta	环境温度	-20		85	°C
VCC33_IO	GPIO电源	3.0	3.3	3.6	V
VDD11_SYS	内核及系统电源	0.99	1.1	1.21	V

上下电时序及复位¶

上下电时序¶

VCC33_IO和VDD11_SYS无上下电时序要求。

复位源¶

芯片系统有五种复位源，以下任何一种复位条件成立，会对芯片产生复位：

SYS上电复位：在VCC33_IO上电后产生复位，上电10ms内系统自动放开此复位

外部引脚复位：引脚RESETN输入低电平并持续2ms以上产生复位

调试器复位：在接收到JTAG IO上的RESET命令后立即产生复位

看门狗复位：通过软件使能后，在WDOG超时复位条件满足下立即产生复位

过温复位：通过软件使能后，在THS温度超过设定值时立即产生复位

内置LDO电气特性¶

LDO25¶

内置 LDO25，电压可配置，用于系统模拟及 GPADC/eFuse供电，其电气特性描述如下：

表 5 LDO25 电气特性¶
符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
Vo	输出电压	2.4	2.5	3.1	V
Io	输出电流	-	-	100	mA
Co	外部去耦电容	-	1	-	uF

LDO18¶

内置LDO18，电压可配置，可用于PSRAM IO和PSRAM颗粒供电，其电气特性描述如下：

表 6 LDO18 电气特性¶
符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
Vo	输出电压	1.71	1.8	1.92	V
Io	输出电流	-	-	100	mA
Co	外部去耦电容	-	1	-	uF

LDO1x¶

内置LDO1X，电压可配置，可用于 VDD11_SYS供电，其电气特性描述如下：

表 7 LDO1x 电气特性¶
符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
Vo	输出电压	1.0	1.1	1.375	V
Io	输出电流	-	-	200	mA
Co	外部去耦电容	-	1	-	uF

IO电气特性¶

IO DC 特性¶

表 8 GPIO DC 电气特性¶
符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
VIH	高电平输入电压	0.7*VCC33_IO	-	VCC33_IO+0.3	V
VIL	低电平输入电压	-0.3	-	0.3*VCC33_IO	V
RPU	上拉电阻	-	33	-	KΩ
RPD	下拉电阻	-	33	-	KΩ
IIH	高电平输入电流	-	-	10	uA
IIL	低电平输入电流	-	-	10	uA
VOH	高电平输出电压	VCC33_IO-0.3	-	VCC33_IO	V
VOL	低电平输出电压	0	-	0.3	V
IOH	高电平驱动能力	8	-	60	mA
IOL	低电平驱动能力	8	-	55	mA
IOZ	三态输出漏电流	-10	-	10	uA
CIN	输入电容	-	-	5	pF
COUT	输出电容	-	-	5	pF

IO AC 特性¶

表 9 GPIO AC 电气特性¶
符号	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
fmax	最大频率	负载6pF	-	-	150	MHz
tr	上升时间	VOL到VOH时间	-	-	1.6	ns
tf	下降时间	VOH到VOL时间	-	-	1.6	ns

时序参数¶

显示接口时序¶

PRGB时序

图 1 prgb时序¶